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射频晶体管
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D2205UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-12.5V-1GHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2205UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF151
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:37910
DLP3010EVM-LC
Texas Instruments
射频晶体管
显示开发工具 DLP LIGHTCRAFTER DISPLAY 3010 EVM LC
1:¥6,356.2048
参考库存:4579
QPD0030
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
1:¥259.335
25:¥233.4354
100:¥210.0783
250:¥193.2526
参考库存:4971
AGR19030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:37919
QPD1013SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
1:¥1,352.384
25:¥1,169.663
100:¥1,011.6777
参考库存:4803

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