| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1:¥429.3774
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参考库存:9502
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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1:¥691.0967 5:¥677.7288 10:¥655.287 25:¥627.5568 50:¥618.9462
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参考库存:7595
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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1:¥2,507.4474
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参考库存:7363
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
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1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094
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参考库存:7626
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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1:¥3.1527 10:¥2.2487 100:¥1.03734 1,000:¥0.79891 15,000:¥0.5763
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参考库存:231819
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
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1:¥919.0064 5:¥902.1016 10:¥861.5346 25:¥832.7874
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参考库存:40330
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:40325
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射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB
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20:¥3,610.9376
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参考库存:40320
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射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
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1:¥1.8419 10:¥1.1978 100:¥0.54579 1,000:¥0.34578 3,000:¥0.26103
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参考库存:33647
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1:¥576.30 10:¥480.25 25:¥432.225 50:¥384.20
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参考库存:40313
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
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1:¥81.9928 10:¥74.0715 25:¥64.6247 100:¥61.3929 1,000:¥45.1774
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参考库存:11345
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射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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10,000:¥0.89157 20,000:¥0.82264 50,000:¥0.791 100,000:¥0.76049
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参考库存:40306
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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50:¥373.2164 100:¥362.9108 250:¥357.7693
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参考库存:40301
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1:¥3.1527 10:¥2.0792 100:¥0.89157 1,000:¥0.68365 3,000:¥0.52206
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参考库存:76838
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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1:¥2.9945 10:¥2.147 100:¥0.99101 1,000:¥0.76049 3,000:¥0.64523
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参考库存:31246
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1:¥1,169.8099 2:¥1,146.837 5:¥1,108.643 10:¥1,088.7437
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参考库存:40292
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射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
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1:¥3,678.7941 5:¥3,447.8108
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参考库存:40287
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10:¥245.2778
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参考库存:7319
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
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50:¥2,218.8341
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参考库存:40280
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1:¥1,110.338 10:¥1,018.8984 25:¥914.396 50:¥809.8936
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参考库存:40275
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