| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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光学传感器开发工具 RPLiDAR A1M8 360 Degree Laser Scanner Kit - 12M Range
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1:¥760.716
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参考库存:6661
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1:¥507.144 10:¥422.62 25:¥380.358 50:¥338.096
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参考库存:6669
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB
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10:¥874.055 30:¥774.163 50:¥699.244 100:¥674.271
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参考库存:40105
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1:¥587.826 10:¥539.4168 25:¥484.092 50:¥428.7672
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参考库存:6637
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1:¥293.5288 10:¥243.2777 25:¥236.509 50:¥229.7516 100:¥175.1161
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参考库存:6635
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G35H100-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥381.2846
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参考库存:40096
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥408.8679
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参考库存:40091
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射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
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1:¥748.7267 10:¥701.9334 25:¥685.4919 50:¥669.1182
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参考库存:7043
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
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100:¥480.5551 200:¥451.7401
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参考库存:40084
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射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
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10:¥2,347.5411 25:¥2,314.6468
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参考库存:40079
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥346.7744
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参考库存:7196
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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600:¥237.6616
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参考库存:40072
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1:¥1,236.9658 10:¥1,191.02 25:¥1,134.5426 50:¥1,121.864
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参考库存:7409
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
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250:¥1,072.3022
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参考库存:40065
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射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
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1:¥1,271.702 2:¥1,241.1242 5:¥1,227.9032 10:¥1,210.23
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参考库存:40060
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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250:¥2,165.8145
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参考库存:40055
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
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1:¥207.468 10:¥191.874 25:¥184.1109 50:¥176.3478 100:¥163.8952
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参考库存:6657
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥892.8808
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参考库存:40048
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1:¥6,372.7254 50:¥6,372.7254
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参考库存:6780
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射频开发工具 2.3-2.7 GHz .25W Eval Board
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暂无价格
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参考库存:40041
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