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射频晶体管
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QPD2730

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
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数量单价合计
1
¥1,272.0862
1272.0862
25
¥1,110.1798
27754.495
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
210 mA
输出功率
36 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
18.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.575 GHz to 2.635 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V, - 4.75 V
零件号别名
1131813
商品其它信息
优势价格，QPD2730的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1014SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
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50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:38604

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