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射频晶体管
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DRF1200

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1
¥1,118.9486
1118.9486
2
¥1,092.0546
2184.1092
5
¥1,076.0651
5380.3255
10
¥1,060.8553
10608.553
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
封装
Box
配置
Inverting, Non-Inverting
高度
0.3 mm
长度
1.5 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
1 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
2.5 ns
Pd-功率耗散
624 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，DRF1200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR18090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:39160
MRF151A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥572.1529
参考库存:5784
MRF1004MB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:39167
QPD1008
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:5896
A2T20H330W24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,118.4853
参考库存:39174

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