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射频晶体管
BF510,215参考图片

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BF510,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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库存：31,191(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最大漏极/栅极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
0.0001 S
闸/源截止电压
0.8 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933505270215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF510,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF13750H-1300
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF13750H-1300/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:2737
AFT20S015NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
500:¥156.0643
参考库存:36250
PTRA093302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥768.40
参考库存:36255
2N5643
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:2824
TGF3021-SM
Qorvo
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:2796

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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