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射频晶体管
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STAC1214-250

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
14 dB
输出功率
260 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
系列
STAC1214-250
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
928 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC1214-250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLW96
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:4136
PTAC260302FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:37649
MRFE6VP6300HSR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
50:¥733.9802
100:¥682.6443
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D5001UK
Semelab / TT Electronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
1:¥428.383
10:¥378.2788
25:¥343.1697
50:¥321.8805
参考库存:37659
PD57060S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.6253
5:¥406.3254
10:¥390.4263
25:¥377.8268
参考库存:37664

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