| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥427.0044
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参考库存:45295
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:44952
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1:¥192.9475
500:¥192.9475
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参考库存:56335
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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250:¥2,165.8145
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参考库存:55833
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥640.4614
50:¥640.4614
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参考库存:53483
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥408.8679
250:¥408.8679
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参考库存:51936
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1:¥310.6596
250:¥310.6596
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参考库存:49886
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1:¥203.852
500:¥203.852
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参考库存:49472
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥1,018.13
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参考库存:48997
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
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参考库存:48538
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
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1:¥3,749.1818
50:¥3,749.1818
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参考库存:6268
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
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1:¥2,111.2581
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参考库存:5285
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
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1:¥3,439.8217
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参考库存:5269
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W
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1:¥346.7744
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参考库存:5307
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
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参考库存:4927
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
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参考库存:4054
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
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参考库存:4020
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 25 Watt
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1:¥3,404.9386
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参考库存:4277
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
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1:¥4,191.7802
50:¥4,191.7802
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参考库存:3760
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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1:¥3,146.7562
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参考库存:3568
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