| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 A2G35S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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暂无价格
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参考库存:46571
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射频放大器 A2G35S200-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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暂无价格
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参考库存:46119
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260:¥47.1775
520:¥42.8722
1,040:¥38.5782
2,080:¥37.7307
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参考库存:52184
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射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
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20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
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参考库存:52057
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
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50:¥1,067.4658
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参考库存:51683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥719.5275
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参考库存:51601
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:51511
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:51116
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射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
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20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
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参考库存:51056
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1,000:¥80.7611
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参考库存:49528
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:49274
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射频无线杂项 MMDS09254H/HVQFN32///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥78.6028
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参考库存:49032
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
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50:¥733.9802
100:¥682.6443
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参考库存:46576
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射频放大器 BGS8L4UK/WLCSP6//S/REEL 13 Q1 DP CHIPS
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20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
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参考库存:45613
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥1,301.6696
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参考库存:45223
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射频收发器 OL2385AHN/HVQFN48//001A1/REEL 13 Q1 DP
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4,000:¥16.1364
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参考库存:45133
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,466.2654
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参考库存:45028
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射频放大器 HV7 2700MHZ4W TO270WB16G
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500:¥354.7748
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参考库存:44951
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射频收发器 OL2385 sub-GHz SiGFOX LPWAN
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4,000:¥16.1364
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参考库存:44811
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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150:¥1,073.6808
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参考库存:44495
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