| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
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1:¥1,340.632
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参考库存:4327
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:5284
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥74.7608
1,000:¥74.7608
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参考库存:8339
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
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1:¥945.2111
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参考库存:3959
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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1:¥404.1784
250:¥404.1784
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参考库存:6861
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥848.0085
50:¥848.0085
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参考库存:3390
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:4190
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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1:¥1,281.8494
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参考库存:3404
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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1:¥699.6282
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参考库存:2844
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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1:¥5,780.2099
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参考库存:2948
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥879.3547
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参考库存:2881
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
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1:¥3,545.4767
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参考库存:2589
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1:¥429.3774
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参考库存:4951
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
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1:¥6,888.2427
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参考库存:2344
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
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1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
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参考库存:2260
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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1:¥699.6282
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参考库存:2142
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
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1:¥343.859
250:¥343.859
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参考库存:4626
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
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1:¥1,695.4746
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参考库存:1752
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:2113
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
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1:¥429.3774
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参考库存:3402
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