| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
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1:¥229.7516 5:¥219.6042 10:¥211.9202 25:¥184.9584 500:¥159.5221
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参考库存:7209
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
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100:¥291.766 300:¥274.2397
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参考库存:6722
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
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1:¥783.768 5:¥719.2224 10:¥645.456 25:¥571.6896
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参考库存:38233
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100:¥158.9797 200:¥145.9169 500:¥138.8544
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参考库存:38228
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:38223
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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500:¥145.996
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参考库存:38218
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射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
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1:¥2,284.6792 5:¥2,217.5233 10:¥2,078.748 25:¥2,029.2653
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参考库存:38213
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1:¥3.5369 10:¥2.9945 100:¥1.8193 1,000:¥1.4125 3,000:¥1.2091
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参考库存:35105
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
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10:¥726.138 30:¥643.1508 50:¥580.9104 100:¥560.1636
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参考库存:38206
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥74.7608 1,000:¥74.7608
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参考库存:9103
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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1:¥3.6838 10:¥2.6103 100:¥1.1978 1,000:¥0.92208 3,000:¥0.78422
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参考库存:33806
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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50:¥279.3925 100:¥270.1717 250:¥265.5613
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参考库存:38197
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射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
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5:¥4,744.5649
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参考库存:38192
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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1:¥15.142 10:¥13.9103 25:¥12.5995 100:¥11.3678 1,000:¥8.5315
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参考库存:16709
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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1:¥3.0736 10:¥2.147 100:¥0.99101 1,000:¥0.76049 3,000:¥0.64523
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参考库存:22337
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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1:¥156.9118 5:¥155.2959 10:¥144.7643 25:¥138.2329
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参考库存:38183
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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1:¥1,104.4959 10:¥994.0836
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参考库存:4865
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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1:¥83.7556 10:¥76.9982 25:¥73.6082 100:¥65.088 1,000:¥51.5619
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参考库存:9768
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥518.67
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参考库存:38174
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
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暂无价格
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参考库存:38169
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