| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥548.8636
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参考库存:38468
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
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1:¥1,081.6021 5:¥1,060.392 10:¥1,010.9884 25:¥989.6992
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参考库存:38463
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
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1:¥4,136.139 5:¥4,072.52 10:¥4,011.8955 25:¥3,925.3714 50:¥3,865.052
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参考库存:38458
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10:¥1,900.9425
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参考库存:38453
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射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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1:¥3.1527 10:¥2.6103 100:¥1.6159 1,000:¥1.2317 3,000:¥1.07576
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参考库存:38448
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:38443
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射频开发工具 TQP7M9101-PCB2600 2500-2700MHZ EVAL BRD
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暂无价格
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参考库存:38438
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射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
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1:¥2.9945 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.00683
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参考库存:46865
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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1:¥1,281.8494
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参考库存:5513
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1:¥918.238 10:¥861.6024 25:¥852.5398 50:¥838.4826
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参考库存:38429
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 120W-28V-175HMz SE
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50:¥851.6132 100:¥828.1092
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参考库存:38424
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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1:¥5,780.2099
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参考库存:5106
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-400MHz PP
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50:¥1,080.1444
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参考库存:38417
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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50:¥524.659 100:¥486.239
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参考库存:38412
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暂无价格
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参考库存:38407
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射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
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1:¥227.9097 10:¥217.073
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参考库存:5244
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
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1:¥4,394.5587 5:¥4,118.7031
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参考库存:38400
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
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120:¥213.6152 270:¥208.6206
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参考库存:38395
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
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1:¥230.5991 10:¥227.1413
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参考库存:5397
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
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暂无价格
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参考库存:38388
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