| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥329.3385
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参考库存:39553
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥211.1518 200:¥211.1518
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参考库存:8120
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥878.2021
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参考库存:39546
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥2,955.8088
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参考库存:39541
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射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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10,000:¥1.04525 20,000:¥0.9831 50,000:¥0.9605
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参考库存:39536
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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1:¥877.9761 5:¥860.9131 10:¥832.4823 25:¥797.2941 50:¥786.2992
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参考库存:39531
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,466.2654
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参考库存:39526
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
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1:¥4.068 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 10,000:¥1.2543
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参考库存:49598
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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1:¥1,020.277 5:¥1,000.5359 10:¥967.4947 25:¥926.5322 150:¥830.7986
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参考库存:6301
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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1:¥93.7448 10:¥86.219 25:¥82.377 100:¥72.772 500:¥62.8506
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参考库存:10414
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥508.3757
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参考库存:39515
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
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250:¥700.0124
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参考库存:39510
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
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500:¥197.0946
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参考库存:39505
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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1:¥73.3031 10:¥66.3084 25:¥63.2348 100:¥54.8615 3,000:¥40.115
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参考库存:39500
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:39495
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1:¥507.144 10:¥422.62 25:¥380.358 50:¥338.096
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参考库存:39490
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥855.1501
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参考库存:39485
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1:¥120.7179 10:¥110.9547 25:¥106.3443 100:¥93.7448
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参考库存:7967
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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1:¥1,834.4759 5:¥1,795.7508 10:¥1,756.9466 50:¥1,756.9466
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参考库存:6140
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥9,605.00
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参考库存:5988
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