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射频晶体管
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GTVA220701FA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：39,546(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥878.2021
219550.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13.5 A
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 2170 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，GTVA220701FA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD54008-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:7967
A2T18H100-25SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥855.1501
参考库存:39485
MRF464
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:39490
MRF8VP13350GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,033.1929
参考库存:39495
PD54008L-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:39500

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    50万现货SKU

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