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分立半导体
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APT54GA60BD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥69.9244
69.9244
10
¥62.9297
629.297
25
¥57.3249
1433.1225
50
¥53.4038
2670.19
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
96 A
高度
4.69 mm
长度
10.8 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
15.49 mm
商标
Microchip / Microsemi
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT54GA60BD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTLJS4114NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:36932
TISP61089BDR-S
Bourns
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥11.30
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1246
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:81084
FDH45N50F-F133
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
1:¥48.025
10:¥40.8834
100:¥35.4255
250:¥33.5836
参考库存:6136
TN0110N3-G
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET 100V 3Ohm
1:¥6.8365
10:¥6.78
25:¥5.7065
100:¥5.1415
参考库存:29363
MJW1302AG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 250V 200W PNP
1:¥23.8995
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
500:¥14.9838
参考库存:9240

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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