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分立半导体
APT54GA60BD30参考图片

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APT54GA60BD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:4,892(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.9244
69.9244
10
¥62.9297
629.297
25
¥57.3249
1433.1225
50
¥53.4038
2670.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
96 A
高度
4.69 mm
长度
10.8 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
15.49 mm
商标
Microchip / Microsemi
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT54GA60BD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 1600volt 320amp
1:¥1,357.6837
5:¥1,325.0267
10:¥1,292.1437
25:¥1,274.0072
参考库存:53168
分立半导体
分立半导体模块 600 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥306.4334
5:¥298.2183
10:¥286.6923
25:¥265.098
参考库存:53173
分立半导体
整流器 15A 600V Ultrafast 40ns
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.6783
800:¥5.2658
参考库存:53178
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
500:¥17.289
参考库存:6821
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:6823
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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