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分立半导体
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IGP30N65F5

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N65F5XKSA1 SP001133080
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGP30N65F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4119UR-1
Microsemi
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250:¥28.5099
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2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:38992

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