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分立半导体
FGB3440G2-F085参考图片

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FGB3440G2-F085

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库存:6,335(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥10.9836
5491.8
800
¥9.1417
7313.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
26.9 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3440G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3440G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB3440G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 400V 3A Standard
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,200:¥0.78422
2,400:¥0.66896
参考库存:108111
分立半导体
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥22.2836
10:¥18.5207
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.4525
参考库存:11243
分立半导体
MOSFET 40/20V, N Chan PowerTrench
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:12500
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Schottky Barrier Diode
1:¥5.6048
10:¥4.8816
100:¥3.7742
500:¥2.8024
3,000:¥1.8419
9,000:查看
参考库存:64997
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:26454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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