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FDP039N08B-F102

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数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
171 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP039N08B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
36 ns
零件号别名
FDP039N08B_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP039N08B-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C82P RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 82V, ZENER
10,000:¥0.86784
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.72998
参考库存:34974
S5JBHR4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 5A, 600V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
6,000:¥1.2317
参考库存:34979
BZY55B4V3 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 4v3
30,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
100,000:¥0.1921
参考库存:34984
RS1AL RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, GP SMF FAST RECOVERY
20,000:¥0.42262
50,000:¥0.37629
100,000:¥0.35369
参考库存:34989
SS15 E2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,50V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.48364
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.44522
参考库存:34994

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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