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射频晶体管
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QPD2731SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
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¥925.1536
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
316 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2731EVB1.0
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD2731SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFIC10275NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥2,127.3945
参考库存:34821
BFR 35AP E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:27235
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
参考库存:9782
AGR09180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 38Watt Gain 18.25dB
10:¥874.055
30:¥774.163
50:¥699.244
100:¥674.271
参考库存:34830
PD57018STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥178.1106
参考库存:34835

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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