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射频晶体管

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MMRF5300NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,807.8192
1807.8192
5
¥1,767.4782
8837.391
10
¥1,731.3634
17313.634
25
¥1,705.7689
42644.2225
50
¥1,643.8336
82191.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
105.3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
零件号别名
935322537528
单位重量
554.700 mg
商品其它信息
优势价格,MMRF5300NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
1:¥1,344.0898
2:¥1,306.9693
5:¥1,277.0017
10:¥1,239.6552
参考库存:4380
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
50:¥765.9366
参考库存:4457
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:37875
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
500:¥364.0634
参考库存:37880
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
100:¥325.7225
250:¥318.0385
参考库存:37885
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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