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射频晶体管
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BLV31

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库存:4,868(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-122A
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
6 A
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV31的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥74.7608
1,000:¥74.7608
参考库存:9103
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:38206
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:35105
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,284.6792
5:¥2,217.5233
10:¥2,078.748
25:¥2,029.2653
参考库存:38213
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
500:¥145.996
参考库存:38218
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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