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射频晶体管
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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数量单价合计
250
¥983.3938
245848.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
优势价格，A3G22H400-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1312HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:36182
BFR193FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:17021
2SK3078A(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:4878
MMBTH81
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:42550
PD57018-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
参考库存:3602

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