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射频晶体管
BFS 17W H6327参考图片

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BFS 17W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.52206
1566.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFS17
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17WH6327XT BFS17WH6327XTSA1 SP000750450
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BFS 17W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3,000:¥62.1613
参考库存:36879
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.5704
100:¥95.9709
1,000:¥75.9925
参考库存:18023
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
90:¥1,071.3078
参考库存:36886
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
1:¥1,536.6418
10:¥1,353.9208
25:¥1,229.3609
50:¥1,079.828
参考库存:36891
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon germanium RF trans
1:¥2.9154
10:¥2.3391
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.60681
参考库存:86125
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