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射频晶体管
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D2221UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-12.5V-1GHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2221UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥853.9975
参考库存:37725
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:53649
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor
2,500:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:37732
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥89.9819
10:¥82.7612
25:¥79.3034
100:¥69.8453
1,000:¥57.0198
参考库存:37737
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
1:¥73.9924
10:¥66.8508
25:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:6796
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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