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射频晶体管
PXAC260602FC-V1-R250参考图片

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PXAC260602FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥530.7384
132684.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC260602FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT3S113TU,LF
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW
1:¥5.6839
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.9097
参考库存:34808
PRF947,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:32077
AFT05MP075GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:3784
BFP 840ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:12021
MMRF1304LR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
50:¥540.8745
参考库存:1553

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