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射频晶体管
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TGF2953

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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数量单价合计
50
¥337.3276
16866.38
100
¥291.766
29176.6
250
¥274.2397
68559.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
820 mA
输出功率
41.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112257
商品其它信息
优势价格，TGF2953的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS9018FBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
参考库存:113067
1517-20M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:35635
ARF1519
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:2214
MRF553
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3191
MICROFJ-SMA-60035-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-SERIES 6MM 35U SMA
1:¥3,089.1262
参考库存:2198

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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