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射频晶体管
BFP842ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP842ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP842
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
450
工作频率
60 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP842ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS-2450/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:36540
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
参考库存:12844
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320GN/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
500:¥214.7678
参考库存:36547
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
500:¥14.6787
参考库存:7071
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,028.5825
参考库存:36554
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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