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射频晶体管

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MHT1008NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1008N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥123.4073
123.4073
10
¥113.4972
1134.972
25
¥108.4235
2710.5875
100
¥95.824
9582.4
1,000
¥75.9134
75913.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
154 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.6 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.45 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
48.1 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935320685515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格，MHT1008NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
250:¥326.796
参考库存:39090
AFG24S100HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
50:¥2,575.1344
参考库存:39095
MRF275L
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:39100
PTFB201402FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:39105
AFT20P140-4WGNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
250:¥484.0129
参考库存:39110

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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