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射频晶体管
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PTFB201402FC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥548.8636
27443.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
16 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2010 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB201402FC-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF455
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
1:¥347.701
10:¥334.9433
参考库存:4290
AFV141KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,779.1494
参考库存:37608
BLW32
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:37613
A2T18S160W31GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.6206
参考库存:37618
MRF24300-1STG
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:37623

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    50万现货SKU

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