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射频晶体管
STAC3932B参考图片

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STAC3932B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
24.6 dB
输出功率
580 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC-244B
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
高度
5.33 mm
长度
34.04 mm
工作频率
250 MHz
系列
STAC3932B
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.78 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S to 5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,STAC3932B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:37175
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:3949
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
150:¥1,033.5771
参考库存:37182
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
1:¥1,213.2245
2:¥1,193.0201
5:¥1,173.4259
10:¥1,154.4419
25:¥1,112.8692
参考库存:37187
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:37192
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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