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射频晶体管
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T2G6001528-SG

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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库存：5,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格，T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1275-01
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:36842
D5006UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
50:¥672.576
100:¥662.2026
参考库存:36847
CE3512K2
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥11.6051
10:¥8.8366
100:¥6.4523
500:¥5.4918
参考库存:6906
MRFE6S9045NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:4978
HFA3127RZ
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
1:¥73.9924
10:¥66.8508
50:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:5785

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    50万现货SKU

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