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射频晶体管

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SD2931-12MR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST
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数量单价合计
1
¥577.8368
577.8368
5
¥567.1583
2835.7915
10
¥552.5587
5525.587
25
¥541.6429
13541.0725
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Bulk
系列
SD2931-12MR
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，SD2931-12MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2001UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V- 1GHz SE
50:¥371.8265
100:¥361.6113
250:¥356.4585
参考库存:39756
MMRF1018NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥382.1999
参考库存:39761
D1014UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
50:¥462.1926
100:¥449.4349
参考库存:39766
D1012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
72:¥1,290.912
参考库存:39771
MRFE6VS25NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
1:¥215.5362
5:¥213.3101
10:¥198.8574
25:¥189.953
500:¥154.1433
参考库存:9240

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