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射频晶体管
MRF6V13250HSR5参考图片

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MRF6V13250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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数量单价合计
1
¥2,209.2291
2209.2291
5
¥2,175.2613
10876.3065
10
¥2,142.9094
21429.094
25
¥2,096.6585
52416.4625
50
¥2,064.4648
103223.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
120 V
增益
20 dB
输出功率
230 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.3 GHz
系列
MRF6V13250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
476 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
935323152178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V13250HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLV34
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:37079
1214-150L
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,950.1136
参考库存:37084
ARF469BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:3618
CGH60120D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
暂无价格
参考库存:37091
TGF2934
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:3830

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