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射频晶体管
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HFA3127RZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
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库存:39,710(价格仅供参考)
数量单价合计
6,000
¥37.4256
224553.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
QFN EP
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
0.95 mm (Max)
长度
3 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
6000
子类别
Transistors
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127RZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥853.9975
参考库存:37725
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:53649
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor
2,500:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:37732
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥89.9819
10:¥82.7612
25:¥79.3034
100:¥69.8453
1,000:¥57.0198
参考库存:37737
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
1:¥73.9924
10:¥66.8508
25:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:6796
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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