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射频晶体管
BFP 405 H6740参考图片

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BFP 405 H6740

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4012
1401.2
3,000
¥1.1978
3593.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP405
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
25 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
25 GHz
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP405H6740XTSA1 BFP45H674XT SP000745256
商品其它信息
优势价格,BFP 405 H6740的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-7.2V-1GHz SE
100:¥503.6862
参考库存:39814
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射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:39819
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500:¥853.9975
参考库存:39824
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥415.3993
参考库存:39829
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:17653
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