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产品分类

晶体管
IPW65R190CFDAFKSA1参考图片

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IPW65R190CFDAFKSA1

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库存:3,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW65R190CFDA IPW65R19CFDAXK SP000928268
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R190CFDAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 600mA 60V
1:¥3.4578
10:¥2.2826
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
2,000:¥0.56839
参考库存:43797
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:3599
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
5,000:¥4.7573
参考库存:24726
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:85428
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 40V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:23940
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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