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晶体管
IPB180P04P4L-02参考图片

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IPB180P04P4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
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库存：21,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB18P4P4L2XT SP000709460
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB180P04P4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPN50R950CEATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
3,000:¥1.3108
参考库存:3079
IRG4BC40KPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT
1:¥29.8094
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.8259
参考库存:17931
STBV32-AP
STMicroelectronics
晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:62343
CXDM4060N TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET 40Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 6.0A 1.2W
1:¥6.3732
10:¥5.1641
100:¥4.3053
500:¥3.3222
1,000:¥2.9945
参考库存:9955
300S14-U
THAT
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
1:¥48.251
25:¥40.4992
100:¥36.6572
250:¥35.6515
参考库存:4322

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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