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晶体管
SIHG73N60AE-GE3参考图片

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SIHG73N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥88.2869
88.2869
10
¥79.4503
794.503
25
¥72.3878
1809.695
100
¥65.3931
6539.31
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
394 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
114 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
212 ns
典型接通延迟时间
43 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG73N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF40NF06
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:11371
FS50R07N2E4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 650V
1:¥502.1494
5:¥492.9286
10:¥480.1709
25:¥470.7241
参考库存:1978
NTLUF4189NZTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:2275
AUIRLS4030-7P
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.194
10:¥32.431
100:¥28.1257
250:¥26.668
参考库存:10202
PRF947,115
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:32749

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    50万现货SKU

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