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晶体管
TK040N65Z,S1F参考图片

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TK040N65Z,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
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数量单价合计
1
¥94.129
94.129
10
¥85.5184
855.184
25
¥77.7666
1944.165
50
¥75.2241
3761.205
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
105 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
TK040N65Z
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
120 ns
商品其它信息
优势价格，TK040N65Z,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTD6416ANT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:45147
FDMC7208S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:9924
2N4013
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:8381
SI4842BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
1:¥17.515
10:¥14.5205
100:¥11.30
500:¥9.831
1,000:¥8.2264
2,500:¥8.2264
参考库存:25198
IRFP054PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥32.1146
10:¥25.7414
100:¥23.4362
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
参考库存:6435

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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