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晶体管
STH185N10F3-6参考图片

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STH185N10F3-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存：6,590(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.4363
6359.075
1,000
¥19.21
19210
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.8 mm
系列
STH185N10F3-6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99.9 ns
典型接通延迟时间
25.6 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，STH185N10F3-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PUMT1,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 40V 100mA
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:31289
2N4857A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -40V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:25871
PHE13007,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
参考库存:25876
VP0104N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.6104
10:¥4.1471
25:¥3.4578
100:¥3.1527
250:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:25881
BCX53-10,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:21216

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    50万现货SKU

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