您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGP4M65DF2参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:9,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP4M65DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STGP4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.034
参考库存:24202
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:35679
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:27996
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:33298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 40W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:18985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们