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晶体管
NVMFD5875NLT1G参考图片

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NVMFD5875NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
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库存:16,493(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7461
67.461
100
¥5.1867
518.67
500
¥4.5765
2288.25
1,500
¥3.2092
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5x6-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S, 7 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns, 6.4 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.5 ns, 14.5 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 4.9 ns
单位重量
136 mg
商品其它信息
优势价格,NVMFD5875NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS LN XSTR NPN 50V
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3221
参考库存:19159
晶体管
MOSFET 60V Vds 3rd Gen TO-220 Fullpak
1:¥8.1473
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.4296
1,000:¥3.4917
参考库存:28731
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
3,000:¥5.7969
6,000:查看
参考库存:28736
晶体管
IGBT 模块 600V 15A EASY2
1:¥377.4426
5:¥369.058
10:¥352.1532
25:¥337.4067
参考库存:4271
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2885
参考库存:9113
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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