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晶体管
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2N5296

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W
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数量单价合计
1,200
¥7.119
8542.8
2,800
¥6.6218
18541.04
5,200
¥6.3732
33140.64
10,000
¥6.1359
61359
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
集电极—射极饱和电压
1 V
增益带宽产品fT
0.8 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5296
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 1 A, 4 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 1 A, 4 V
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
400
子类别
Transistors
零件号别名
2N5296 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N5296的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥12,788.2552
参考库存:24137
晶体管
MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
800:¥16.5206
2,400:查看
参考库存:24142
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥1.5255
10,000:¥1.4238
25,000:¥1.3447
50,000:¥1.3108
参考库存:24147
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:24152
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR PNP -45V -0.1A HALOGEN-FREE
1:¥1.8419
10:¥1.1639
100:¥0.52997
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.25312
参考库存:24157
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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