PBSS304PD,115详细信息_PBSS304PD,115相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
晶体管极性	PNP
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	80 V
集电极—基极电压 VCBO	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大直流电集电极电流	3 A
增益带宽产品fT	110 MHz
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值	155 at 500 mA, 2V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min	155 at 500 mA, 2 V, 140 at 1 A, 2 V, 105 at 2 A, 2 V, 60 at 3 A, 2 V, 30 at 4 A, 2 V, 20 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散	360 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PBSS304PD T/R

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB50R140CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP	1:¥32.657 10:¥27.7415 100:¥24.0464 250:¥22.826 1,000:¥17.289 2,000:查看	参考库存:7694
IRF7853TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg	1:¥9.6841 10:¥8.2264 100:¥6.3506 500:¥5.6048 4,000:¥3.9211 8,000:查看	参考库存:18851
IRFL4315TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC	1:¥5.763 10:¥4.7912 100:¥3.0962 1,000:¥2.486 2,500:¥2.486	参考库存:2648
BSZ120P03NS3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3	1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7911 1,000:¥2.2374 5,000:¥1.8871	参考库存:45490
ZVN3310FTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 100 V	1:¥4.3844 10:¥3.6951 100:¥2.3843 1,000:¥1.9097 3,000:¥1.9097	参考库存:10712