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晶体管
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APT64GA90LD30

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥95.6658
95.6658
10
¥86.9874
869.874
25
¥80.456
2011.4
50
¥76.0716
3803.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
117 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
117 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
117 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥7.4693
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50,000:¥0.20792
参考库存:33574

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