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晶体管
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TGF2160

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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库存:32,931(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格,TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥834.0982
5:¥818.8093
10:¥781.9261
25:¥755.8796
参考库存:3030
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:3287
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:5109
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥95.824
10:¥87.0552
25:¥80.6029
50:¥76.2298
参考库存:3426
晶体管
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:4013
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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