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晶体管
SCT3160KLGC11参考图片

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SCT3160KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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库存:40,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥78.2186
78.2186
10
¥70.6928
706.928
25
¥67.3932
1684.83
100
¥58.4775
5847.75
250
¥55.8672
13966.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
103 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SCT3160KL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SCT3160KLGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:10478
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:21880
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥223.9886
5:¥213.9203
10:¥207.242
25:¥190.405
参考库存:4532
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:61079
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
参考库存:11276
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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