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晶体管
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BSM35GD120DN2E3224

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数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
优势价格，BSM35GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK6D120-60PX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
参考库存:11330
TK49N65W,S1F(S
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
1:¥88.0609
10:¥79.2243
25:¥72.2296
100:¥65.1558
参考库存:32582
BLV11
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:32587
NVMFD5C466NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,500:¥3.7177
9,000:查看
参考库存:32592
DMP3028LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.8476
参考库存:14272

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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