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晶体管
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BSM35GD120DN2E3224

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数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
优势价格，BSM35GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP7N80C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.4524
参考库存:6020
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
10,000:¥1.1865
参考库存:46976
DMT3011LDT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:17527
STL92N10F7AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22479
SPW11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:9951

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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