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晶体管

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VS-GB300LH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
500 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.645 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB300LH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥139.1595
5:¥133.7016
10:¥128.707
25:¥118.2545
参考库存:1933
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.72207
参考库存:10010
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 300MW 10K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:16612
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:10954
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥23.5153
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.2888
参考库存:1791
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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