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晶体管
IRG4RC10SDTRPBF参考图片

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IRG4RC10SDTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.667
6667
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001542118
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，IRG4RC10SDTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FB10R06KL4G_B1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
DMP1022UWS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
TSM60NB900CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
NVMFS5C410NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
PD57070S-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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